Actualités Sociales de STMicroelectronics
par Le Collectif des salariés de STMicroelectronics en France (CAD-ST)

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ST officalise sa stratégie "FABLESS"

vendredi 3 juin 2016

Les premiers gros projets où ST fera le design mais produira ailleurs (par exemple chez TSMC en FinFET 10 nm) commencent à occuper le devant de la scène.

Pour l’instant le management se défend que cela soit la stratégie sur le court-terme et que cela ne concernerait que des faibles volumes, mais la tendance est cependant claire.

Et même si MCD, qui est toujours en croissance, migre progressivement ses produits vers du 40 nm ou du 28 nm, il y aura probablement à terme une fab digitale de trop en France : Crolles 200, Crolles 300 ou Rousset ?

Ainsi, il y a quelque mois aussi bien Jean-Marc cherry que Carlo Bozotti avaient confirmés l’abandon des investissements dans les technologies les plus fines (en dessous du 28 nm ou éventuellement du 14 nm) et n’avaient ainsi pas caché le fait qu’à terme ST deviendrait en grande partie "FABLESS" .

Plus récemment, les articles ci-dessous reprennent des communiqués de presse de ST et de Mobileye, qui est le principal partenaire d’APG et pour qui ST va utiliser du FinFET en 10 nm, l’option FD-SOI ayant été officiellement abandonee, :
- en anglais (EETIMES) : "Mobileye rejects FDSOI for EyeQ chip"
- en français (boursier.com) : "STMicroelectronics et Mobileye développent ’EyeQ5’ "Extraits :

(Boursier.com) — Mobileye et STMicroelectronics annoncent le co-développement de la prochaine génération du système sur puce (cinquième génération) de Mobileye, le EyeQ5.
(...)
Afin de répondre aux exigences de performances et de consommations d’énergie, le système sur puce EyeQ5 sera conçu dans le nœud technologique FinFET avancé de 10 nm ou moins
(...)
S’appuyant sur l’expérience acquise en concevant des solutions pour applications automobiles, ST prendra en charge la mise en œuvre physique à la pointe de la technologie, les interfaces mémoire et à haut débit spécifiques, et la conception du boîtier (...) »

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